WAS IST CMP (CHEMICAL METAL POLISHING)?
- Verfahren zur Erzeugung einer reflektierenden Oberfläche
- Normalerweise wird die Politur durch die Verwendung eines feinkörnigen oder submikronischen Schleifpartikels in Kombination mit einer Flüssigkeit erzeugt.
- Das Polieren ist ein "nasses" Verfahren
- Häufig verwendet der Polierprozess ein Pad, um das Schleifmittel aufzunehmen, so dass das Polieren kein "loser Schleifprozess" sein kann
- Während des Poliervorgangs wird sehr wenig Material entfernt, normalerweise gemessen in Mikrometer
- Die Oberflächenbeschaffenheit des zu polierenden Werkstücks muss vor dem Poliervorgang von hoher Qualität sein, bei der SiC-Bearbeitung ist dies in der Regel ein Drahtsägeprozess
- Zur Optimierung der CoO über die gesamte Prozesskette können unterschiedliche Polierprozesse kombiniert werden
- DMP Wird im SiC Bereich als Vorprozess für den abschließenden CMP-Schritt verwendet
Wie funktioniert das Chemisch Mechanische Polieren?
- Beim CMP wird ein Polierpad und ein Poliermittel mit bestimmten chemischen Eigenschaften verwendet
- Die durch das Poliermittel in den Prozessraum eingebrachten losen Abrasive werden in das nachgiebige Poliertuch eingebettet
- Durch das Poliermittel wird das zu bearbeitende Material chemisch beeinflusst, um den mechanischen Abtrag zu erleichtern
- Die eingebetteten Abrasive erzeugen eine spanende Bearbeitung, durch die Kratzer und Unebenheiten aus dem chemisch beeinflussten Material weiter eliminiert werden und somit eine sehr präzise Oberfläche erzeugt wird
- Durch die Trägerflüssigkeit des Poliermittels werden zudem Späne und Wärme aus dem Prozessraum befördert
- Das flüssige Trägermaterial im Poliermittel trägt zur Reduzierung des Poliermittelverbrauchs bei und ermöglicht ein gleichmäßiges, gesteuertes Einbringen in den Prozessraum
- Ergebnis des CMP-Prozesses ist die bestmögliche Ebenheit, Parallelität und Rauheit der Werkstücke
- Durch den chemischen Einfluss des Poliermittels können Schädigungen des Materials (Sub Surface Damages) weiter reduziert werden